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156*156多晶硅片参数制备方法:DSS　　导电类型:P　　掺杂剂：B　　电阻率范围:0.5 -3.0 厘米,　　少数载流子寿命: 2 s　　氧含量: 8.0 * 1017 / cm3　　碳含量: 1.0 * 1018 / cm3　　硅片尺寸:156 * 156 0.5　　直角度:90 0.3 　　斜角度：0.5-2mm　　厚度：200 20 m总厚度变化： 30 m 线痕 20 m　　翘曲 50 m崩边：深度 0.3mm 长度 0.5mm　　微裂纹:不允许的　　外观:没有污点,没有边缘破损，没有碎片