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HB2188系列硅电容差压传感器概述： HB2188系列硅电容差压传感器采用硅电容差压敏感芯片作为传感元件，采用微机械加工技术自主设计制作，层迭对称结构，采用差动电容原理检测压力信号，具有全固态，高精度，高可靠性，高稳定性，温度范围宽，温度、静压影响小，单向过载特性优异，易于后部数字化处理等特点。它采用全不锈钢壳体，316L隔离膜片封装、标准差压容室接口。可用于测量液体、气体的差压、流量等参数，可作为过程控制领域用差压变送器的核心部件。广泛应用于石油、化工、电力、冶金、轻工、食品、环保、锅炉控制、带压容器测量等。 主要技术指标： 序号项目技术指标1基准量程6kPa32kPa，130kPa，500kPa2工作温度-30～+80℃ -40～+85℃3基础电容50pF 10pF4电容偏差 5pF5电容增量 20%基础电容6绝缘电阻 200MW（100VDC）7静压影响 0.1%FS/3.2MPa（6kpa） 0.1%FS/10MPa 0.25%FS/10MPa 0.075%FS/10MPa 0.25%FS/10MPa8长期稳定性 0.2%FS/年