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6寸单晶硅片技术参数1.Type/类型：P2.尺寸：125*125 0.4mm3.直径： 150 0.4mm4.厚度： 200 20 m5.电阻率：1.0 3.0 cm6.少子寿命 10 s7.氧含量 1 1018atoms/cm38.碳含量 5 1016atoms/cm39.弯曲度： 30 m10.TTV: 35 m11.位错密度： 1000/cm 12.表面、边缘晶向： 100 1.013.崩边：长度 0.4mm、深度 0.8mm，每片不超过2个(no more than 2 per piece wafer)，间隔 30mm14.缺口：长度 1mm、深度 0.3mm，每片 1个(no more than 1 per piece wafer)15.晶片无裂纹、孔洞和明显刀痕及凹坑