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智能差压变送器世界首创 单晶硅谐振传感器，高精度：0.075%，连续工作五年不需调校，温度影响可忽略不计，静压影响可忽略不计，单向过压影晌：连续10万次单向过压实验后影晌量 0.03%，双向通讯功能（BRAIN/HART协议，FF现场总线），完善的自诊断功能，基本品接液膜片材质：哈氏合金C-276小型、轻量，标准型3.9kg，工作原理 采用微电子加工技术（MEMS）在一个单晶硅芯片表面的中心和边缘制作两个形状、尺寸、材质完全一致的Ｈ形状的谐振梁，谐振梁在自激振荡回路中作高频振荡（如图1）。单晶硅片的上下表面受到的压力不等时，将产生形变，导致中心谐振梁因压缩力而频率减小，边缘谐振因受拉伸力而频率增加（如图２）。