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PartNumber（编码）Chip（晶片） Material（材料）Emitting（颜色）入P(nm)GaN/GaNWHITE Parameter（参数）SymbolMINTYPMAXUNITTESTCONDITIONForwardVoltage（顺向电压）VF1.9/2.1VIf=20mADomiWavelength（主波长） d 625 630 nm ReverseCurrent（反向电流）IR 10 AVR=5VPowerdissipation（消耗功率）Pd 170 mW LuminousIntensity（发光强度）IV1600/1800mcdIf=20mAPeakForwardCurrent（顺向电流峰值）If(Peak) 100mA RecommendForwardCurrent（顺向电流）If(Rec) 20 mA Electrostatic Discharge（静电释放）ESD 2000 V 1.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS：（Ta=25℃）2.OPERATINGTEMPERATURE： 40℃TO80℃(操作温度)3.LEADSOLDERING：260℃FOR5SECONDS（焊接条件） 4.储存条件:25℃以下60%湿度以下.