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HB2166系列硅压阻复合压力传感器采用硅集成压阻芯片作为传感元件，采用微机械加工技术自主设计制作，能够同时实现对现场中的差压、静压、温度等参数进行测量，具有精度高、体积小、重量轻、稳定性好等特点。采用四膜片静压和过载保护结构，全不锈钢壳体，316L隔离膜片封装及标准差压容室接口，可用来测量差压、静压、流量、液位、温度等参数，广泛应用于石油、化工、电力、造纸等工业领域的测量与过程控制。主要技术指标：序号项目差压静压温度1基准量程40KPa、100KPa、400KPa、1000KPa10MPa、16MPa-30?+80℃2桥路电阻5（1 20%）K 10（1 20%）K 25（1 20%）K 3零点失调 20mV 30mV 4满量程输出 50mV 50mV 15 /℃5静态精度 0.1%FS 0.25%FS 0.5%FS8零点温度影响 0.1%FS/℃9满量程温度影响 0.05%FS/℃10长期稳定性 0.1%FS/年， 0.2%FS/年11静压影响 0.2%FS/10MPa； 0.5%FS/10MPa； 1%FS/10MPa；12供电电源1（1 50%）mA， 或恒压5（1 10%）VDC13绝缘电阻 100MW(100VDC)14工作温度-10～+60℃、-30～+80℃