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供应霍尼韦尔高温芯片传感器
日期:2010-10-02 09:18  点击:5
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HT1104高温四重组装超低输入偏置电流运算放大器额定温度:-55℃至+255℃单流或分流运算共模输入电压范围包括电源负限低输入偏置与补偿参数输入/输出过载保护高输入阻抗和超低偏置电流电介质分离的无闭锁设计密封14引线陶瓷DIP数据表单下载 (PDF)97kHT1204高温四重组模拟开关额定温度:-55℃到+225℃225℃时最大渗漏为500nA低控制输入电流线性度高开关之间串扰低密封14引线陶瓷DIP电介质分离的无闭锁设计单个开关控制CMOS逻辑电平数据表单 (PDF)156kHT506/HT507高温模拟多路复用器16通道单/8通道双额定温度范围-55℃到+225℃先断后合开关无闭锁I225℃时电阻400I225℃时8通道漏电1.2A分离或单一供电性能数据表单 (PDF)112kHTANFET高温N沟道电源场效应晶体管额定温度:-55℃至+225℃持续输出电流可达1Amp典型输入电压可达90V绝缘层上覆硅(SOI)4引脚电源带式封装或带整体散热器的8引脚陶瓷Dip数据表单169kHTPLREG高温正线性稳压器额定温度范围:-55℃至+225℃输出电流可达300mA校准+15,+10和+5V输出输入电压可达-28V静态电流3.0mA电流极限和短路保护密封4-引脚封装数据表单94kHTCCG高温晶体时钟发生器额定温度:-55℃至+225℃与CMOS/TTL相匹配输出频率24KHz-20MHz被2,4,8分开单5V供电电源密封14引脚陶瓷DIP与外部晶体接口数据表单148kHT6256高温静态存储器额定温度:-55℃至+225℃用THMOSTMIV绝缘层上覆硅生产读取/写入循环时间50ns支持20MHz时钟异步操作输入/输出缓冲器单5V10%供电电源密封28引线陶瓷DIP数据表单下载 (PDF)246kHT83C51高温83C51微控制器IHTMOS额定温度:-55℃至+225℃优化8-bitCPU用于5V控制用途四个8-bit双向平行端口三个带有一个递增/递减定时器/计数器和时钟输出的16-bit定时器/计数器可编程计数器阵列带有七个源极和四个优先级的中断结构半双方的可编程串行端口带有~成帧误差检测~自动地址识别I64k外部程序存储器地址空间数据表单下载 (PDF)296k
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