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ISS187硅外延平面二极管芯片(4 )1)用途:用作高压超低速开关应用2)特点:*超低的正向压降*较小的总电容*快速的反向恢复时间3)芯片结构芯片尺寸280*280 压焊区尺寸 120*120 芯片厚度 220+_10 金属层 正面:AL背面:AU-AU/AS 4)电特性(Ta=25c)参数名称 符号测试条件MAXMIN单位正向电压 VRIR=0.01MA 80 V正向压降VF(1)IR=10MA 1.0 VVF(2)IR=100MA 1.2 V反向漏电流IR(1)VR=20V 2.5 IR(2)VR=75V 1 总电容CTVR=O.5 3.0 PF反向恢复时间 IF=14MA 4.0 ns