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PartNumber（编码）Chip（晶片）1W白色 Material（材料）Emitting（颜色）入P(nm)InGaNWHITE正白 Parameter（参数）SymbolMINTYPMAXUNITTESTCONDITIONForwardVoltage（顺向电压）VF3.0/3.6VIf=350mADomiWavelength（主波长） d0.28/0.32nm ReverseCurrent（反向电流）IR 10 AVR=5VPowerdissipation（消耗功率）Pd 1000 mW LuminousIntensity（发光强度）IV80/90LMIf=350mAPeakForwardCurrent（顺向电流峰值）If(Peak) 500mA RecommendForwardCurrent（顺向电流）If(Rec) 350 mA Electrostatic Discharge（静电释放）ESD 2000 V 1.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS：（Ta=25℃）2.OPERATINGTEMPERATURE： 40℃TO80℃(操作温度)3.LEADSOLDERING：260℃FOR5SECONDS（焊接条件）4.储存条件:25℃以下60%湿度以下.