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惠州创世纪仪器仪表商行供应惠州MOS-1型功率场效应管测试仪一、概述　　MOS-1型功率场效应管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称电流约在2-100A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性能十分优越的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。二、主要技术性能1、击穿电压VDSS测量范围：0—1999V，精度：≤2.5%。2、IDSS可分三挡选择：1mA、250uA、25uA。3、栅极开启电压VGS（th）测量范围：0—10V。精度：≤5%。4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50A连续可调，精度：≤10%。5、Gfs跨导测试范围：1—100三、主要测试功能1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。6、压敏电阻电压的测试等。四、测试盒与测试线1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。