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Ramtron铁电存储器 所有Ramtron的F-RAM产品具备的3大特点，使其不同于其他非易失性存储技术： 快速写入 F-RAM执行写操作的速度和读操作的速度一样快。就在总线速度下写数据而言，F-RAM对写入的数据变成非易失性数据并没有任何延迟。与基于浮栅技术的非易失性存储器5毫秒的数据读写延时相比，F-RAM的写入速度只为几十纳秒，在汽车安全系统应用中必不可少。 高耐久性 F-RAM提供几乎无限次写入的耐久性，这就意味着它不存在像其他非易失性存储器件那样。对于采用浮栅技术的非易失性存储器而言，存在1E5时钟周期的硬故障和无法写入，不适合应用于高耐久性的应用。 低功耗 F-RAM操作无需(高压)充电激励，因此可以降低功耗。采用浮栅技术的非易失存储器在写操作过程中需要高电压支持，而F-RAM的写操作只需要本身制造工艺的的电压：5V，3V或通过提高工艺使电压更低。