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MR-2磁阻效应实验仪一、概述磁阻器件由于其灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等探测器。磁阻器件品种较多，可分为正常磁电阻，各向异性磁电阻，特大磁电阻，巨磁电阻和隧道磁电阻等。其中正常磁电阻的应用十分普遍。锑化铟（InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的正常磁电阻，有着十分重要的应用价值。它可用于制造在磁场微小变化时测量多种物理量的传感器。本实验装置结构简单，实验内容丰富，使用两种材料的传感器：砷化镓（GaAs）作为测磁探头测量电磁铁气隙中的磁感应强度，研究锑化铟（InSb）在一定磁感应强度下的电阻，融合霍尔效应和磁阻效应两种物理现象，具有科学研究的前瞻性，特别适合大学物理实验。二、实验内容测定通过电磁铁的励磁电流IM和电磁铁气隙中磁感应强度的关系,观测GaAs传感器的霍尔效应。测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合外接信号发生器，深入研究磁电阻的交流特性（倍频效应）和观测其特有的物理现象。三、主要技术参数1.恒流源1：输出电流0-1A，连续可调，分辨率1mA，三位半数字电流表显示。 2.内置InSb电阻用恒流源0-4mA.3.电压表：量程 1999.9mV，四位半数字电压表显示，分辨率0.1mV。4.数字毫特仪：量程量程0 1999.9mT，分辨率0.1mT，准确度优于1%FS；四位半数字显示.