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用途：可适用于PVD、CVD技术以金属、半导体靶材制备高密度、高硬度、高亮度、高透明度的单质、化合物膜层。 特点：1. 采用先进的逆变技术和IGBT功率开关器件2. 采用PWM控制技术、恒流特性好、电源控制精确3. 自动恒流输出，不随气压变化，提高沉积速率，工艺重复性好4. 克服靶中毒，抑制靶材弧光放电及抗短路功能，内置电子电抗，具有极佳的负载匹配能力5. LED数码电流、电压显示、清晰直观6. 轻巧、高效、节能。同等功率比可控硅电源节约电能40%以上7. 模块化设计、全系列产品风冷长期稳定性好，可N+1备份、保障安全生产8. 可根据用户量身定做设计制造特种电源系统 主要技术项目：型号Type项目ItemMF 10kwMF 20kwMF 30kwMF 40kw输入电源电压频率（V、Hz）三相四线AC380+N+15%,50/60AC380+N+15%,50/60AC380+N+15%,50/60AC380+N+15%,50/60输出电流调节范围（A）　0～150～300～450～60稳流精度 1% 1% 1% 1%额定输出电压（ACV）200～1000200～1000200～1000200～1000负载持续率（%）85858585重量（KG）25354070外形尺寸（mm）650(D) 480(W) 250(H)860(D) 600(W) 600(H)绝缘等级BBBB效率（%）90909090功率因数COS 0.930.930.930.93外壳防护等级Ip21Ip21Ip21Ip21工作模式恒压、恒流、恒功率可任意选择，常规恒流输出外部接口本系列产品，均可设微机式PLC控制