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专业光磊sd-30660G齐纳二极管齐纳管优势 代理光磊齐纳管芯片系列： 通盛（香港）有限公司15920056830QQ:1301584875蒋生商祺!正规包客诉! 1.齐纳管6MILSD-30660G金电极抗静电稳压双向保护5-7V小功率适用 2.齐纳管8MILSD-00866G金电极抗静电稳压双向保护5-7V小功率适用 3.齐纳管10MILSD-01066G金电极抗静电稳压双向保护5-7V大功率适用 4.华镓0.5/1W双电极红光方片:20MIL40MIL6500-7500-8500mcd40-45-50LM以上 齐纳管原理: 通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通。这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。然而，如果采取适当的预防措施来限制电流的话，反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压。封装形式：光磊 最大反向电压：6.8MILV 电流容量：锗 封装材料：直插 结构：点接触型 类别：金属封装 材料：大功率 型号：5-7V 品牌：并联