MS101H双极锁存磁控开关是一款为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存磁传感器，集成了TMR和CMOS技术。MS101H采用高精度推挽半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器，比较器，施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场

   MS101H双极锁存磁控开关是一款为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存磁传感器，集成了TMR和CMOS技术。MS101H采用高精度推挽半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器，比较器，施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。MS101H低电压工作、消耗电流低、响应频率高，微安级的电流消耗成为众多低功耗应用的理想选择。

产品特性典型应用 
(TMR)技术三表（水表，气表，热量表）
双极锁存传感器流量计
磁场灵敏度：Bop=5.0mT速度测量
工作电流：5uaA
工作电压：1.8V~7V线性位移测量
响应频率：5 kHz