前不久三星发布新一代NGFF接口SSD，其读写速度高达1.4GB/秒，性能惊艳全场。我们从SSD和主板厂商的观望态度分析，英特尔推出的NGFF接口要么是恶魔，要么是天使。三星为此做了另一手准备，在现有SATA3.0接口上继续改良SSD，推出原有840系列SSD的升级版－－三星840EVO SSD。

巅峰性能爆发 三星840 EVO1TBSSD首测

升级改良版的三星840 EVO SSD的最大容量翻倍至1TB，保留最小120GB容量；它在硬件层面上实现主控、闪存的换代，从根本上推动扩容、提高性能；最后它在独门的加速软件上着手，实现SSD闪存作为高速缓存，为深度应用环境提速做准备。

三星840 EVO SSD的硬件、性能改进明细

这款改良性能的三星840 EVO SSD包括120GB、250GB、500GB、750GB和1TB共5种容量的产品，本文测试的SSD即为该款1TB版本。下面我们将进入三星840 EVO 1TB SSD的技术解析、性能对比分析以及点评总结环节。

产品：SSD 840 EVO（1TB）三星固态硬盘

诠释EVO 源自四位一体设计方案

三星840EVOSSD中的“EVO”全称是:Evolution，其含义是发展、进化的意思，恰如其分的反映它是由840系SSD的进化升级而来。另外“EVO”是一款跑车的品牌，也是速度的一种体现。

“主控、闪存、缓存、固件”自主方案

那么三星如何实现进化升级？我们需要从三星的“主控、闪存、缓存、固件”四位一体的自主研发、生产谈起。

●三核心ARM Cortex-R4主控

三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片

三星本身具备手机、平板ARM架构处理器的研发生产能力，MEX主控是在成熟的MDX方案基础上进一步提升频率。它内建三个ARM Cortex-R4核心，工作频率提升至400MHz。

●世界最小10nm级 高速闪存芯片

三星3bit MLC高速闪存（每die为128Gbit）

三星840 EVO SSD采用世界最小10nm级 高速闪存芯片，每die晶圆芯片为128Gbit(折合为16GB），每颗黑色的成品闪存采用MCP多芯片封装。1TB版本的单颗成品闪存含有8个die晶圆芯片，总容量达到128GB。

它基于ToggleDDR2.0闪存架构。与现有三星840系SSD相比，新款EVO SSD在连续写入性能方面提升了3倍之多。

●最高支持1GB独立缓存

三星1GB 独立缓存

SSD的独立缓存用于存放映射表，越大容量的SSD就需要将映射表编得越大，对缓存的容量有更大的需求。最大容量为512GB的三星840系列SSD，拥有512MB独立缓存。而到了最大容量为1TB的840 EVO SSD，则拥有1GB独立缓存。

●针对840和EVO的不同固件支持

MDX和MEX硬件参数上的不同，意味着840 EVO SSD需要升级的原有固件（Upgraded firmware）。同时它为了匹配10nm级闪存，设计最新的、更先进的信号处理算法（latest generation Advanced Signal Processing）。

进化结果：

三星840 EV0 SSD通过四位一体的全面进化，迸发出强悍性能，仅写入速度一项就提高1.6-3.1倍之多，随机读写能力也有不同程度提高。下面我们进入相关测试成绩对比分析：

产品：SSD 840 EVO（1TB）三星固态硬盘

读写速度对比：双双突破500MB/s

● ATTO Disk Benchmark最大读取测试

ATTO Disk Benchmark是一款优秀且免费的磁盘基准测试软件，支持对稳定性/突发性传输速率进行读写测试，适用于常规硬盘、RAID、USB闪存盘、移动存储卡等产品的读写性能测试。