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数据列表 IRF9310PBF 产品相片 8-SOIC 产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below 设计资源 IRF9310PBF Saber Model IRF9310PBF Spice Model PCN 组件/产地 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 标准包装 4,000 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET 包装 带卷 （TR） FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能 逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss) 30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25 C 时） 20A （Tc） 不同Id、Vgs 时的Rds On（最大值） 4.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 165nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 5250pF @ 15V 功率 - 最大值 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC（0.154 ，3.90mm 宽） 供应商器件封装 8-SO 产品目录页面 1521 (CN2011-ZH PDF)