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特点?稳定斩波o较好的温度稳定性o极低的开关点漂移o对物理应力不灵敏?电池反接保护?输出短路保护?固态可靠性?小型尺寸?可靠的EMC能力?高ESD保护额定值(HBM描述霍尔效应传感器是在各种温度下性能稳定、抗应力的锁存。获得专利的动态偏移取消技术，能利用稳定斩波特性，保证了产品的超强耐高温性能。这种方法可降低通常由器件超模压、温度依存性及热应力引起的剩余偏移电压。极大补充了目前的稳定斩波锁存传感器系列。以下元件包含在单硅片上：稳压器、霍尔发电机、小型信号放大器、稳定斩波特性、施密特触发器和具有短路保护功能的开漏输出。先进的BiCMOS晶片加工工艺利用了低电压要求、元件匹配、极低的输入偏移错误和小型元件几何结构的优势。操作该器件需要南极和北极磁场同时存在。如果南极磁场的强度足够大，器件输出会开锁；而如果北极磁场的强度足够大，器件输出就会关闭。在E温度范围中，此产品额定工作环境温度为 40 C到85 C，而在L温度范围中，额定工作环境温度则为 40 C到150 C。两种封装类型为大多数应用提供磁性优化的解决方案。封装LH是SOT23W微型低厚度表面安装封装类型，而封装UA是供过孔安装的三引脚超小型SIP每种封装均是无铅版本，且引脚框采用100%雾锡电镀。