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概述：OHSJ119砷化镓霍尔元件是一种采用Ⅲ-Ⅴ族半导体材料砷化镓(GaAs)单晶,用离子注入工艺制作的磁电转换元件，可将磁场强度信号线性地转换成电压讯号输出。 产品特点线性度优良、温度稳定性好、采用微型封装 典型应用磁场测量、无刷电机、电流传感器、无触点开关、位置控制、转速检测 极限参数最大控制电流Ii 10mA工作环境温度TA -55～125℃贮存温度范围TS -55～150℃ 电特性　（TA＝25℃） 参　　数符　号测试条件量值单位霍尔输出电压VHIi=5mA B=100mT50～130mV不等位电压VO/VHIi=5mAB=0/B=100mT 12%输入电阻RiIi=1mA450～900 输出电阻ROIi=1mA900～1800 VH的温度系数аVHIi=5mA B=100mT-0.07%/℃输入电阻与输出电阻的温度系数аi,oIi=1mA B=0mT0.3%/℃线性度 KHIi=5mA B=0～300mT＜2%