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薄膜铂电阻： 用真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上，膜厚在2 m以内，用玻璃烧结料把Ni(或Pd)引线固定，经激光调阻制成薄膜元件。 型号外形尺寸W L Hmm标称阻值R0工作电流mA引线尺寸W L Hmm工作温度℃误差外形图mmVEC-1632-Ni 1.6 3.2 1.0 100 10.25 0.15 12-40~450 1/3DINAB2B VEC-1632-Pd0.3 0.2 10-50~500VEC-2005-Ni 2.0 5.0 1.020.25 0.15 12-40~450VEC-2005-Pd0.3 0.2 10-50~500VEC-2005-Ni500 1000 0.50.25 0.15 12-40~450VEC-2005-Pd0.50.3 0.2 10-50~500