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品牌:Moore
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 352PBA21A1TNNA4  Moore 352



产品特点
・降低通态电阻70％(注3)，达到业内最高水平的低损耗。
・结合最新降低开关损耗的技术， 352PBA21A1TNNA4 使元器件总损耗降低14％(注4)。

3．主要规格(代表机型)

额定电压(V)	额定电流(A)	通态电阻(Ω)	封装	上市时期
600V	20A	0．19	TO-220F,TO-22O TO-3P,TO-247	即日
	30A	0．125		2012年　4月
	47A	0．07	TO-3P,TO-247	2012年　4月
	68A	0．04	TO-247	2012年　4月

4． 352PBA21A1TNNA4 主要用途
・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备；
・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。

注1 352PBA21A1TNNA4 ，金属氧化物半导体场效应管。

注2　SJ结构：电荷非平衡Superjunction结构
其特点是，由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构，可使n区的杂质浓度提高，所以可大幅度降低阻值。
以往面状结构的MOSFET，由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区(过流层)来确保耐压水平的，因此通态电阻无法降至一定值以下。
而SJ结构，是通过在n区形成p区，这既可以在纵向又可在横向延展过流层，因此，即使n层阻抗下降，依然可以确保耐压水平。据此， 352PBA21A1TNNA4 可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。